IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor), er sammensat af en MOS (isoleret gate-felteffekttransistor) og en BJT (bipolær transistor). Det er en spændingsdrevet effekthalvlederenhed. IGBT kan være en enkelt diskret enhed eller et modul, hver type med sin egen række af applikationer. I industrien bruges det til trafikstyring, strømkonvertering, industrimotorer, UPS uafbrydelig strømforsyning, vindmøllestrøm og solenergiudstyr, frekvensomformer osv. I forbrugerelektronik bruges det i husholdningsapparater, ladebunker, elektriske køretøjer , elværktøj mv.